장신커지, 241억위안 연구개발·108억위안 테스트기지 투자 추진

장신커지(长鑫科技·688825)가 기술 연구개발 프로젝트에 241억위안, 메모리 웨이퍼 후공정 테스트 기지 2기 사업에 108억위안을 각각 투자할 계획이라는 보도가 나왔다.

오데일리는 장신커지가 두 사업을 추진한다고 보도했다. 공개된 사업 정보에서도 메모리 웨이퍼 후공정 테스트 기지 2기 사업이 중국 안후이성 허페이에서 추진 중인 것으로 나타났다.

장신커지는 DRAM 메모리 반도체를 개발·생산하는 기업이다.