삼성전자 '3나노 상용칩', 암호화폐 채굴기 탑재 첫 확인

삼성전자의 3나노미터(nm) 게이트올어라운드(GAA) 1세대(SF3E) 공정 기반 칩이 중국 암호화폐 채굴기에서 확인됐다.

19일(현지시간) 글로벌 반도체 전문 리서치기관 테크인사이트에 따르면, 중국 비트코인 채굴기 제조사 '마이크로BT'(MicroBT)의 장비 '왓츠마이너 M56S++'에 삼성전자의 3나노 GAA 1세대 칩이 장착됐다.

실제 삼성전자 3나노 칩 탑재 제품이 확인된 것은 이번이 처음이다.

당시 삼성은 고객사를 밝히지 않았지만, 중국 암호화폐 채굴용 반도체 설계기업(팹리스)이라는 관측이 지배적인 것으로 전해졌다.

마이크로BT는 팹리스 판세미를 자회사로 두고 있다.

마이크로BT는 SF3E 공정 첫 고객사로 알려진 비트코인 채굴용 주문형반도체(ASIC) 팹리스 '판세미'(Pansemi) 를 통해 확보한 것으로 전해졌다.

왓츠마이너 M56S++는 해시레이트 240-256 Th/s 와 에너지 효율 22J/T를 내는 장비다.

삼성전자는 3나노 공정부터 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 게이트(Gate)가 둘러 싸는 형태인 차세대 GAA 기술을 세계 최초로 적용했다.

채널의 3개면을 감싸는 기존 핀펫 구조와 비교해 GAA 기술은 게이트의 면적이 넓어지며 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 반도체 핵심 기술로 손꼽힌다.

삼성전자 3나노 GAA 1세대 칩은 5나노 2세대(SF5)와 비교해 칩 전력 최대 45% 감소, 성능 23% 향상, 집적회로(IC)가 차지하는 면적이 16% 축소됐다. 앞서 삼성전자는 지난해 6월 3나노 GAA 1세대 공정 기반 칩을 첫 양산한 바 있다.

[email protected]