1b D램 면적 가치, TSMC N2보다 54% 높아

최신 1b 공정 D램의 1㎟당 판매 가치가 TSMC의 2나노(N2) 웨이퍼 명목 가격보다 약 54% 높은 것으로 계산됐다. 인공지능(AI) 수요가 D램 가격을 높은 수준으로 유지하면서 최신 메모리 공정의 면적당 가치도 올라간 것으로 분석됐다.

반도체 분석기관 Kernel Insight는 24일 최신 공정 D램의 면적당 가치가 TSMC N2와 N3 웨이퍼 가격을 넘어섰다고 밝혔다. TSMC 300㎜ 웨이퍼 가격은 N3가 2만달러(약 2730만원), N2가 3만달러(약 4095만원)로 추정됐다. 웨이퍼 전체 면적으로 나누면 1㎟당 명목 가격은 N3가 0.283달러(약 386원), N2가 0.424달러(약 579원)다. 이 계산에는 웨이퍼 가장자리 손실, 절단 손실, 수율과 결함이 반영되지 않았다. 관련 수치는 국내 보도에서도 같은 수준으로 확인됐다.

Kernel Insight는 D램 가격을 1Gb당 1.50달러(약 2048원)로 가정하고 세대별 비트 밀도를 적용했다. 그 결과 1y D램의 1㎟당 가치는 0.329달러(약 449원), 1z는 0.410달러(약 560원), 1b는 0.654달러(약 893원)로 계산됐다. 1b D램의 면적당 가치는 TSMC N2 웨이퍼 명목 가격보다 약 54% 높다.

10나노급 D램 공정은 1y, 1z, 1a, 1b 순으로 미세화된다. 1b는 0.436Gb/㎟의 비트 밀도를 전제로 산출됐다. TSMC N3와 비교하면 1y부터 면적당 가치가 더 높고, 1z와 1b로 갈수록 격차가 커진다.

현물 가격은 분석의 주요 전제와 비슷한 수준이다. DRAMeXchange 집계에서 9월 21일 16Gb DDR5 eTT 칩 평균 거래가는 24.80달러(약 3만3852원)로 나타났다. 이를 1Gb 기준으로 환산하면 약 1.55달러(약 2116원)다. 이는 Kernel Insight가 적용한 1.50달러 가정과 큰 차이가 없다. 해외 기술 매체도 같은 계산과 전제 조건을 확인했다.

다만 이 비교를 D램이 첨단 연산 칩보다 비싸거나 수익성이 높다는 뜻으로 확대해석하기는 어렵다. TSMC 수치는 고객이 지불하는 웨이퍼 가공 가격이고, D램 수치는 해당 면적에 담긴 메모리 완제품의 잠재 판매액이다. 두 수치의 산정 대상이 다르다.

D램 계산에는 고대역폭메모리(HBM) 등 첨단 패키징 비용도 포함되지 않았다. 반대로 TSMC 웨이퍼 가격은 비공식 추정치이며, 실제 사용 가능한 다이의 면적과 수율을 반영하지 않은 명목값이다. D램 지표 역시 소량 현물 거래 가격을 바탕으로 해 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 테크놀로지($MU) 등 주요 메모리 업체의 장기 계약 가격과는 차이가 있다.

이번 분석은 AI 수요와 D램 가격이 최신 메모리 공정의 면적당 판매 가치 계산에 어떤 영향을 주는지 보여준다. 다만 기업 실적이나 제조 수익성을 판단하려면 수율·패키징 비용·계약 가격을 함께 살펴봐야 한다.